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计算单元(包括CPU和GPU)本身发热量跟nandflash不是一个数量级的,堆成多层散热就出问题了
96层。闪存的BiCS4技术采用96层堆叠设计,可用来制造TLC、QLCNAND闪存颗粒,堆栈层96层,同时性能及可靠性大幅提升,1TB版收入寿命从200TBW提升到了300TBW。
当前3D堆叠技术在NAND颗粒是相当主流的,而WesternDigital的3D颗粒技术也将迈入新世代,宣布与日本KIOXIA/铠侠(原东芝记忆体)共同合作开发的BiCS5TLC与QLC颗粒将在2020下半年进入商用量产,相较当前采96层堆叠的BiCS4,BiCS5则达到112层,使得每晶片储存量提升40%,最高可达1.33TB,此外I/O性能也较BiCS4提高50%。
▲当前WesternDigital广泛使用的BiCS4为96层堆叠
BiCS5采用第二代多层储存通孔技术,以及持续改善的3DNAND技术配合,使堆叠数持续增加,并强化每单位的储存容量,而BiCS5颗粒将由与KIOXIA在日本三重县四日市市与岩手县北上市的合资工厂生产,BiCS5未来将广泛应用在包括个人电子产品、智慧手机、IoT设备与WesternDigital的企业用储存方案等领域。
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